Photomask

- Binary mask

제조 용이, 미세 패턴에서 이미지가 잘 형성되지 않는다. quartz 위에 Cr에 의해 패턴이 형성된다. Cr은 차광부 역할을 한다. 크롬이 충분히 넓지 않으면 차광부의 역할을 할 수 없다. 보강간섭이 생겨서 최저 광도가 0에 도달하지 못하여서, 해상력이 떨어진다.

- EAPSM (Embedded Attenuated PSM)

위상 반전층(Phase shifting material로 투과율이 6% 혹은 8%)을 통과한 빛과 위상 반전층이 없는 부위를 통과한 빛은 서로 다른 광학경로를 가지게 됨에따라 두 빛 사이에 위상차가 발생하여, 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성시킨다. 하지만 제조공정이 복잡하고, 바이너리 마스크에 비해서 불량률이 높다. 패턴의 경계 부분에서서로 소멸간섭이 생겨서 레지스트 패턴의 성능이 향상된다.

- AAPSM (Alternating Aperture PSM)

석영 기판을 선택적으로 식각함으로써, 식각된 부분과 아닌 부분에서 180도의 위상차를 가지게 된다. quartz에서 싯각된 부분과 아닌 부분의 투과율 차이는 없으며, 인접한 패턴의 경계면에서는 소멸간섭이 일어난다.