정리하는 반도체/반도체 공학12 FinFET, GAA, MBCFET FinFET의 장점 Gate control능력이 좋아짐. 누설전류 줄어듦 > DIBL, GIDL와 같은 Short channel effect가 줄어들었습니다. 누설전류를 효과적으로 줄이면서 저전력 구현이 가능해졌습니다. 단위면적당 구동전류 증가 > 2D보다는 차지하는 공간이 줄어들어서 미세화에 장점을 가집니다. 채널 부분의 높이 조절을 통해서 채널의 크기가 커졌습니다. 따라서 단위 면적당 구동 전류가 증가할 수 있게 되었습니다. But FinFET의 한계 얇고 높게 세워진 Fin의 구조로 인해서 고도의 Etching 기술을 필요로 하게 되었습니다. LER(Line Edge Roughness)가 식각공정에서 더 심해지고, 작은 결함도 fin 모양에 심각한 영향을 주게되어 공정 산포가 더 커지게 되었습니다... 2020. 7. 1. NAND FLASH 비휘발성 메모리 Mosfet + Floating Gate + Tunnel Oxide Write Control Gate에 충분한 전압이 가해지면, 전하가 Tunneling으로 Floating Gate로 이동해 충전 전자가 FG로 포획될 때, Vth는 증가한다. 그 이유는 채널에 반전층을 형성하기 위해 CG에 전압을 가할 때, FG안의 전자만큼 더 인가되어야 한다. 전자가 FG를 빠져나올 때, Vth는 감소된다. Erase Body에 고전압을 인가해 FG에 갇힌 전자가 Tunneling으로 빠져나가며 이동 Read 플로팅 게이트에 전자가 저장되어 있으면, Vth가 Vread보다 높아 전류가 적게 흐르고, 이 상태를 0으로 인식 플로팅 게이트에 전자가 없으면, Vth가 Vread 보다 낮아 전류가 많이 흐르고.. 2020. 6. 9. DRAM 작동원리! 휘발성 메모리 소자 Transistor 1개 + Capacitor 1개 Dynamic Random Access Memory 구조가 단순하고, 직접도가 높다. 비트당 가격이 싸고, 용량이 크다. 컴퓨터의 주 기억장치로 사용된다. SRAM에 비해서 접근 속도가 느리다. Write 게이트 역할을 하는 Word Line에 전압을 인가 1을 저장하려면 Bit Line에 High를 인가하여 캐패시터를 충전 0을 저장하려면 Bit Line에 Low를 인가하여 캐패시터를 방전 Read BL에 High와 Low의 중간 전압으로 두고 WL을 ON시키면, BL의 변화를 검출하여 1과 0을 감지한다. * 커패시터는 시간이 지남에 따라서 방전된다. 커패시터에 전하가 자연방전되지 않도록 하기 위해서 Refresh 과정이 필요하다.. 2020. 6. 8. 이전 1 2 3 4 다음