꿈을 위해서!135 FinFET, GAA, MBCFET FinFET의 장점 Gate control능력이 좋아짐. 누설전류 줄어듦 > DIBL, GIDL와 같은 Short channel effect가 줄어들었습니다. 누설전류를 효과적으로 줄이면서 저전력 구현이 가능해졌습니다. 단위면적당 구동전류 증가 > 2D보다는 차지하는 공간이 줄어들어서 미세화에 장점을 가집니다. 채널 부분의 높이 조절을 통해서 채널의 크기가 커졌습니다. 따라서 단위 면적당 구동 전류가 증가할 수 있게 되었습니다. But FinFET의 한계 얇고 높게 세워진 Fin의 구조로 인해서 고도의 Etching 기술을 필요로 하게 되었습니다. LER(Line Edge Roughness)가 식각공정에서 더 심해지고, 작은 결함도 fin 모양에 심각한 영향을 주게되어 공정 산포가 더 커지게 되었습니다... 2020. 7. 1. 네이티브가 들으면 어색한 표현 1. Job seeker I'm looking for a job. I'm in between jobs at the moment 2. name card business card, card 명함 Can I have your card? 명함 좀 주실 수 있나요? Here's my card. 여기 제 명함이요. 3. 이건 서비스입니다. This is service? It's on us. = It's on the house. Coffees is on me. 제가 살게요. My treat. 제가 대접할게요. 4. 대학시절 University time? Time flies. I miss college. 시간이 빠르네. 대학시절이 그리워. 구어체에서는 college를 많이 사용합니다. We met in college... 2020. 6. 30. 삼성전자, 평택에 EUV 파운드리 생산라인 구축 삼성전자가 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다. 삼성전자는 올해 2월 EUV 전용 화성 ‘V1 라인’ 가동에 이어 평택까지 파운드리 라인을 구축하며 모바일, HPC(High Performance Computing), AI 등 다양한 분야로 초미세 공정 기술 적용 범위를 확대해 나가고 있다. 이번 투자는 삼성전자가 작년 4월 발표한 ‘반도체 비전 2030’ 관련 후속 조치의 일환으로, 삼성전자는 시스템 반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부 전략을 실행하고 있다. 삼성전자는 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수했으며, 2021년 하반기부터 본격 가동할 계획이다. 삼성전자는 2019.. 2020. 6. 30. 이전 1 2 3 4 ··· 45 다음