꿈을 위해서!135 메모리 초미세공정 EUV EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급(1㎚ : 10억분의 1미터) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 공급해 글로벌 고객의 평가를 완료했다고 밝힌 것이다. 회사는 그러면서 내년부터는 4세대 10나노급 D램(1a)을 EUV로 본격 양산할 계획이라고 강조했다. 삼성은 4세대 10나노급 D램(1a) 생산을 위해 평택 메모리 공장에 EUV 전용 설비인 'P-EUV'를 갖추고 있다. EUV는 최근 반도체 공정에서 가장 주목받는 기술이다. EUV는 웨이퍼에 반도체 회로를 찍어내는 노광 공정에서 사용되는 광원이다. 기존 노광 공정에서 사용됐던 광원은 불화아르곤(ArF)이다. EUV는 ArF보다 파장이 14분의 1에 불과해 더 미세한 회로를 정확하게 찍어낼 수 있는.. 2020. 4. 28. 매일 5문장 외우기 - 주문 이 세상에서 우리가 언제 어느 때든 100퍼센트 통제 가능한 것은 단 두가지 뿐이다. 노력과 마음가짐. - 책 "승리하는 습관" Could we get a menu, please? 여기 메뉴판 주세요. Of course, here you go. 여기있습니다. We'd like to order, please. 여기 주문 받아 주세요. Do you have a menu in English? 영어 메뉴판 있어요? Give us a little more time. 좀 있다가 주문할게요. We'll order when we've decided. 정해지면 부를게요. Could you come back in five minutes? 오 분 뒤에 다시 와주세요. 2020. 4. 28. SiC 전력 반도체 주도권 경쟁 SiC 실리콘 카바이드 소재를 이용한 전력 반도체가 업계에서 주목받고 있다. 전력 반도체는 상황에 따라 전압과 전류를 알맞게 제어하는 역할을 하고, 운용비를 줄이고 핵심 칩 구동을 최적화할 수 있다. 실리콘 반도체는 폭증하는 전류를 감당하지 못해 발열과 전력손실을 일으키며 기능 저하를 일으킨다. 발열을 방지하기 위해 냉각장치를 사용하면 공간과 비용이 필요하다. 실리콘 카바이드 반도체는 열에 강하고 칩 크기도 줄일 수 있다. 전류나 전압이 높아져도 안정적인 온도를 유지하면서 전력을 전달하는 물질이다. 하지만 구현이 어렵고 비용이 많이든다. SiC칩은 높은 와이드 밴드갭 성질을 가지고, 전하와 정공의 이동도를 제어할 수 있는 범위를 조절할 수 있는 장점을 가진다. 이로인해 고전압 대전류의 우수한 전기적 특성.. 2020. 4. 27. 이전 1 ··· 40 41 42 43 44 45 다음