DRAM 작동원리!

 

•  휘발성 메모리 소자
• Transistor 1개 + Capacitor 1개
• Dynamic Random Access Memory
• 구조가 단순하고, 직접도가 높다. 비트당 가격이 싸고, 용량이 크다. 컴퓨터의 주 기억장치로 사용된다. SRAM에 비해서 접근 속도가 느리다.

• Write

게이트 역할을 하는 Word Line에 전압을 인가

1을 저장하려면 Bit Line에 High를 인가하여 캐패시터를 충전

0을 저장하려면 Bit Line에 Low를 인가하여 캐패시터를 방전

• Read

BL에 High와 Low의 중간 전압으로 두고 WL을 ON시키면, BL의 변화를 검출하여 1과 0을 감지한다.

* 커패시터는 시간이 지남에 따라서 방전된다. 커패시터에 전하가 자연방전되지 않도록 하기 위해서 Refresh 과정이 필요하다.

 

• DRAM의 핵심 경쟁력은 미세공정

DRAM의 성능을 높이기 위해서 커패시터의 방전(누설전류)을 막아야 한다. 커패시터의 특성은 유전율이 높을수록, 두께가 얇을수록, 면적이 넓을수록 좋아진다.

> High-k 물질 사용, 3D 구조로 만들어 면적을 증가시킴

> 완성된 DRAM을 수직 방향으로 적층해서 TSV(Through via silicon)로 DRAM의 성능을 향상시킴