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꿈을 위해서!135

리소그래피 분해능 향상 기술 248nm DUV 광선을 이용해 분해능의 한계인 0.5um DR의 회로를 포토레지스트에 인쇄하면 회절과 산란현상에 의해서 마스크의 패턴과 같은 이미지를 얻을 수 없다. 이러한 광선의 파동현상은 선 폭 주면에서 간섭현상을 일으켜 원래의 마스크 패턴이 왜곡되어 인쇄되기 때문이다. 이런 마스크의 패턴이 왜곡되는 것을 방지하기 위해서 phase shifting masks(PSM)과 optical proximity correction (OPC) 방법이 이용된다. 회절과 산란현상에 의해서 photoresist 박막 위에 왜곡된 이미지가 나타나는 것을 방지하고 IC 설계자가 원하는 모양의 패턴이 나타나도록 원래의 마스크 패턴을 인위적으로 (간섭무늬가 상쇄되도록) 변조시킨 마스크를 이용하여 리소그래피를 하는 방법을 O.. 2020. 5. 31.
[미라클모닝] 7일차 6시 25분 기상 5시 50분쯤 눈이 떠진다. 나는 더 자고 싶어서 6시 반까지 더 잔다. 오늘 너무 피곤해서 '쉴까'라는 생각이 들었다. 첫날, 눈이 번쩍 떠졌던 신기한 경험을 기억하며, 오늘도 일어났다. 첫날은 일어나는 것도 행복했다. 내가 꿈을 이룰 수 있다는 생각에, 신나게 일어났다. 아마도 오늘 일어나기 싫었던 마음은 어제 했던 부정적인 생각 때문인 것 같다. 어제는 EUV에 대해서 공부했다. 새로운 내용이었고 이해하기 힘든 내용이었다. 나는 익숙하지 않는 내용을 보면서, 하기싫다는 생각이 떠올랐다. 그래서 이해할 수 있는 내용만큼 정리했고, 더 열심히 하지 않았음에 낙담했다. 이 생각이 오늘 아침까지 미쳤는 것 같다. 그래서 운동을 다녀오면서 돌체라떼를 먹으며 스스로를 다독였다. 오늘도 아마 .. 2020. 5. 31.
EUV Lithography Extreme Ultraviolet lithography는 극자외선인 매우 짧은 파장(13.5nm)의 빛을 사용하는 리소그래피 기술입니다. EUV 기술은 광원, 광학계, 마스크, 레지스트, 노광장치 등 다양한 요소의 기술 개발이 필요합니다. 1) EUV 발생기술 EUV 광은 고온, 고밀도의 플라즈마에서 발생이 가능합니다. 특정 물질에 강한 레이저광을 집광하여 플라즈마를 만드는 Laser Produced Plasma(LPP)법과 특정한 물질 환경 속에서 전극 간에 대전류 펄스를 흘려 플라즈마를 만드는 Discharge Produced Plasma(DPP)법 2가지가 있습니다. 양산 시에 필요한 광원 강도는 350W 이상을 요구합니다. 싱크트론, 자유전자레이저(free electron laser: FEL),.. 2020. 5. 30.

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