정리하는 반도체/반도체 공정20 반도체 패키지의 방향, 경박단소 반도체 Fab 공정을 마친 회로 패턴화된 웨이퍼는 온도 변화, 전기적 충격, 화학적 및 물리적 외부 데미지 등에 취약한 상태에 놓이게 됩니다. 이를 보완하기 위해 웨이퍼에서 분리된 칩을 둘러싸는 방식이 있는데, 이를 반도체 패키징(Packaging)이라고 합니다. 반도체 칩과 마찬가지로, 패키지 역시 ‘경박단소(輕薄短小, 가볍고 얇고 짧고 작음)’를 목표로 발전합니다. 단, 내부에 있는 반도체 칩에서 외부로 신호를 연결할 때 걸림돌이 되어서는 안 되지요. 패키지 기술은 패키지를 내부적으로 형성하는 내형기술(Internal Structure), 외부적으로 형성하는 외형기술(External Structure), 그리고 PCB(Printed Circuit Board 혹은 이하 시스템보드)에 실장(Mount)하.. 2020. 6. 3. 리소그래피 분해능 향상 기술 248nm DUV 광선을 이용해 분해능의 한계인 0.5um DR의 회로를 포토레지스트에 인쇄하면 회절과 산란현상에 의해서 마스크의 패턴과 같은 이미지를 얻을 수 없다. 이러한 광선의 파동현상은 선 폭 주면에서 간섭현상을 일으켜 원래의 마스크 패턴이 왜곡되어 인쇄되기 때문이다. 이런 마스크의 패턴이 왜곡되는 것을 방지하기 위해서 phase shifting masks(PSM)과 optical proximity correction (OPC) 방법이 이용된다. 회절과 산란현상에 의해서 photoresist 박막 위에 왜곡된 이미지가 나타나는 것을 방지하고 IC 설계자가 원하는 모양의 패턴이 나타나도록 원래의 마스크 패턴을 인위적으로 (간섭무늬가 상쇄되도록) 변조시킨 마스크를 이용하여 리소그래피를 하는 방법을 O.. 2020. 5. 31. EUV Lithography Extreme Ultraviolet lithography는 극자외선인 매우 짧은 파장(13.5nm)의 빛을 사용하는 리소그래피 기술입니다. EUV 기술은 광원, 광학계, 마스크, 레지스트, 노광장치 등 다양한 요소의 기술 개발이 필요합니다. 1) EUV 발생기술 EUV 광은 고온, 고밀도의 플라즈마에서 발생이 가능합니다. 특정 물질에 강한 레이저광을 집광하여 플라즈마를 만드는 Laser Produced Plasma(LPP)법과 특정한 물질 환경 속에서 전극 간에 대전류 펄스를 흘려 플라즈마를 만드는 Discharge Produced Plasma(DPP)법 2가지가 있습니다. 양산 시에 필요한 광원 강도는 350W 이상을 요구합니다. 싱크트론, 자유전자레이저(free electron laser: FEL),.. 2020. 5. 30. 이전 1 2 3 4 5 ··· 7 다음
