정리하는 반도체/반도체 공정20 FET의 GATE 변화 이번 장에서는 FET의 게이트 단자가 기술의 발전에 따라, 혹은 당면한 문제를 해결해가는 과정에서 어떻게 발전하였는지에 대해 알아보도록 하겠습니다. 3개 단자(소스, 게이트, 드레인)를 만드는 방식 ▲ 게이트/소스/드레인 단자들의 제조 방식(형태적/화학적 변화 기준) @ 수직단면구조 반도체 공정 방식은 크게 2가지로 나뉩니다. Substrate 계면인 기준선 위로는 주로 물리적 변화를 주고, 기준선 아래로는 물리적 변화를 일으킬 수 없기 때문에 주로 화학적 변화를 줍니다. FET의 3가지 단자 중, Substrate 계면 위쪽에 위치하는 게이트 단자는 증착을 시켜서 만들고, Substrate 계면 아래쪽에 위치하는 소스와 드레인 단자는 임플란팅과 확산을 시켜서 만듭니다. Sub 계면 이하의 영역에서 굳이.. 2020. 5. 15. 반도체 공정에서 플라즈마 비 오는 날의 번개와 극지방의 오로라는 자연에서 볼 수 있는 플라즈마 활동입니다. 그 중 플라즈마가 발생하는 가장 대표적인 곳은 태양이죠. 플라즈마는 많은 양의 양이온과 전자를 생성하기 때문에 높은 밀도를 갖습니다. 그리고 양이온은 양이온끼리, 전자는 전자끼리 그룹을 지어 몰려다니는 운동형태를 보이는데, 이는 서로 중성상태를 만들려는 힘에 의해 활발한 운동에너지로 나타납니다. 반도체 공정에서도 플라즈마의 도입이 많아지는 추세입니다. 특히 막을 만들 때에는 분자 단위나 원자 단위의 화학적/물리적 기법을 이용하는데요. 이때 온도를 섭씨 1,000도(CVD)까지 올려야 하므로, 다른 부위에 바람직하지 않은 영향을 줍니다. 따라서 Fab 공정에서는 온도는 절반으로 내리고, 막은 좀 더 얇고 튼튼하게 만들기 위해.. 2020. 5. 6. 이전 1 ··· 4 5 6 7 다음
