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정리하는 반도체/반도체 공정20

산화막과 절연 반도체의 크기가 줄어들고 저장 용량이 커질수록 전자를 어느 곳에 보관하고, 어떻게 이동시킬 것인지가 점점 중요한 이슈로 부각되고 있습니다. 전자가 지나가는 도선이나 전자를 담는 그릇 그 자체는 도체의 기능을 갖는 성분입니다. 하지만 전자의 이동 통로를 확보하거나 전자의 이동을 막아내는 것은 산화막 이나 질화막 같은 절연체가 합니다. 이렇듯 서로 반대 기능을 갖는 물질과 형태들을 적절히 배분하는 기술이 마스킹(Masking)과 절연 기술인데요. 이러한 기능은 얇은 두께를 갖는 막을 이용해 실현합니다. 오늘은 반도체에서 쓰이는 산화막(이산화실리콘 혹은 실리카 Silica)과 다른 절연층을 비교하면서 이런 막들을 어떻게 형성시키는지에 대해 알아보도록 하겠습니다. 산화막과 질화막의 기능 ▲ 산화막(SiO2)과 .. 2020. 5. 16.
게이트 옥사이드 전류를 이용하려면 단자들 간에 전자가 잘 흐르도록 환경을 만들어 주어야 하지만, 전압을 이용하기 위해서는 단자와 단자 사이를 절연 시켜서 전자의 이동을 막아야 합니다. 대신 절연체의 양쪽 단자에 걸리는 전압을 조절해 절연체 양쪽 편에 있는 전자들을 이합집산 시킵니다. FET소자 계열의 절연막 중에서 제일 중요한 층은 단연 게이트 단자 밑에 있는 옥사이드(산화층)인데요, 게이트의 전압 민감도를 결정해주는 이 게이트 옥사이드가 어떤 역할을 하고, 반도체 테크놀로지가 발전해 감에 따라 이 절연층이 어떤 변화를 겪는지 알아봅시다. 게이트 옥사이드의 숙제 ▲ 디램과 낸드 플래시에서의 게이트 옥사이드 위치 @ 출처 : NAND Flash 메모리 디램이나 다른 비메모리 제품에서의 게이트 옥사이드(Gate Oxide).. 2020. 5. 16.
CMOS 공정 반도체 디바이스의 강자인 CMOS는 1960년 개발된 이후 괄목할 만한 성장을 이루었습니다. 안정성, 활용도, 신뢰성 등 각종 지표적으로도 현존하는 물질 중 가장 적합하다고 판단되어 사용된 실리콘을 기반으로 개발된 CMOS는 현재의 반도체 르네상스 시대를 연 주역이 되었지요. 주로 IC 등 비메모리 영역에 적용되는 CMOSFET는 소비전력을 최소화할 수 있음은 물론, 면적당 디바이스의 개수를 나타내는 집적도를 크게 향상시킬 수 있습니다. 또한 bit당 가격을 기하급수적으로 떨어뜨려 공급자와 소비자 모두에게 긍정적으로 작용하고요. 집적도의 향상은 CMOS구조의 혁신과 제조 공정상의 최적화에 의한 결과로 볼 수 있는데요. 이번 장에서는 CMOS 일괄공정과 CMOS와 연관된 개발 및 공정 요소들에 대해 알아보.. 2020. 5. 16.

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