정리하는 반도체/반도체 공정20 플라즈마와 스퍼터링 플라즈마는 고체, 액체, 기체 외의 제 4의 상태로 이온, 라디칼, 전자가 함께 공존하는 상태이다. 하지만 외부에서 볼 때는 중성의 상태이다. 플라즈마는 Ar와 같은 비활성 기체를 사용하여, 진공에서 기체를 넣고 높은 에너지를 전가하면 만들어진다. 플라즈마 상태를 유지하는데 필요한 것은 전자의 가속과 압력이다. 1) 전자의 가속이 필요한 이유는 전자의 충돌에너지로 인해서 이온화가 진행되기 때문인다. 2) 높은 전기장을 주어 전자를 가속시키려해도, 기체의 양이 많으면 전자가 충돌을 많이 해서 (MFP가 짧아져) 에너지가 감소하기 때문에 이온화를 못시킨다. 반대로 기체의 양이 작아진다면 (MFP가 길어져) 가속은 얻지만 원자와 충돌할 확률이 작아진다. 방전을 일으키는데 전기장과 압력, 전극 재료마다 다른 특.. 2020. 6. 11. 낸드플래시(NAND FLASH) 메모리 제품 양산 수율 90% 달성 [산업일보] 휴대용 저장장치(USB), 디지털카메라 등에 쓰이는 낸드플래시 메모리는 많은 반도체 업체가 생산하고 있어 제품 경쟁력 확보와 원가절감이 무엇보다 중요하다. 초기 낸드플래시는 좁은 저장 공간에 의한 간섭현상으로 불량률이 높은 것이 늘 문제로 지적받았다. 최근 코로나19로 인한 글로벌 반도체 공급망 균열이 우려되는 상황에서, 반도체 소재, 부품, 장비에 대한 국산화 필요성이 커지고 있다. SK하이닉스㈜ 이인노 팀장은 이 문제를 해소하기 위해 기존 식각 공정을 플라즈마를 이용한 공정으로 전환해 불량률을 떨어뜨렸다. 이인노 TL은 1997년 ㈜SK하이닉스에 에칭공정 엔지니어로 입사해 디램 및 낸드플래시의 제품개발 및 양산이관 업무를 수행했다. 초기 낸드플래시 개발 시 용액을 이용한 Wet 에칭 방식.. 2020. 6. 11. Photomask - Binary mask 제조 용이, 미세 패턴에서 이미지가 잘 형성되지 않는다. quartz 위에 Cr에 의해 패턴이 형성된다. Cr은 차광부 역할을 한다. 크롬이 충분히 넓지 않으면 차광부의 역할을 할 수 없다. 보강간섭이 생겨서 최저 광도가 0에 도달하지 못하여서, 해상력이 떨어진다. - EAPSM (Embedded Attenuated PSM) 위상 반전층(Phase shifting material로 투과율이 6% 혹은 8%)을 통과한 빛과 위상 반전층이 없는 부위를 통과한 빛은 서로 다른 광학경로를 가지게 됨에따라 두 빛 사이에 위상차가 발생하여, 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성시킨다. 하지만 제조공정이 복잡하고, 바이너리 마스크에 비해서 불량률이 높다. 패턴의 경계 부분에서서로 소멸간섭이 생겨서 .. 2020. 6. 4. 이전 1 2 3 4 ··· 7 다음