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정리하는 반도체61

상태밀도함수 드레인 전류는 캐리어(Carrier, 전자 혹은 정공)의 농도에 의해 좌우되기도 하는데, 캐리어 농도는 주로 캐리어의 확률적 개체수와 상태밀도에 의해 정해집니다. 미시세계에서의 캐리어는 전자와 정공이고, 캐리어의 확률적 개체수는 캐리어 알갱이들의 숫자와 위치에 따라 판단하는데요(이는 지난 챕터에서 다룬 페르미-디락분포확률함수로 추정할 수 있습니다). 이러한 캐리어들은 원자(단독원자 혹은 다원자)의 결합구조 속에 위치해있습니다. 이번 장에서는 단위공간과 단위에너지 안에서, 미시세계 내 캐리어들의 상태의 수를 나타내는 상태밀도(Density Of State, DOS)에 대해 알아보겠습니다. 원자의 결합구조는 에너지의 산물 ▲ 원자결합구조의 원천, 에너지 고체를 형성하는 수많은 원자는 서로 결합하여 격자구조를.. 2020. 6. 1.
리소그래피 분해능 향상 기술 248nm DUV 광선을 이용해 분해능의 한계인 0.5um DR의 회로를 포토레지스트에 인쇄하면 회절과 산란현상에 의해서 마스크의 패턴과 같은 이미지를 얻을 수 없다. 이러한 광선의 파동현상은 선 폭 주면에서 간섭현상을 일으켜 원래의 마스크 패턴이 왜곡되어 인쇄되기 때문이다. 이런 마스크의 패턴이 왜곡되는 것을 방지하기 위해서 phase shifting masks(PSM)과 optical proximity correction (OPC) 방법이 이용된다. 회절과 산란현상에 의해서 photoresist 박막 위에 왜곡된 이미지가 나타나는 것을 방지하고 IC 설계자가 원하는 모양의 패턴이 나타나도록 원래의 마스크 패턴을 인위적으로 (간섭무늬가 상쇄되도록) 변조시킨 마스크를 이용하여 리소그래피를 하는 방법을 O.. 2020. 5. 31.
EUV Lithography Extreme Ultraviolet lithography는 극자외선인 매우 짧은 파장(13.5nm)의 빛을 사용하는 리소그래피 기술입니다. EUV 기술은 광원, 광학계, 마스크, 레지스트, 노광장치 등 다양한 요소의 기술 개발이 필요합니다. 1) EUV 발생기술 EUV 광은 고온, 고밀도의 플라즈마에서 발생이 가능합니다. 특정 물질에 강한 레이저광을 집광하여 플라즈마를 만드는 Laser Produced Plasma(LPP)법과 특정한 물질 환경 속에서 전극 간에 대전류 펄스를 흘려 플라즈마를 만드는 Discharge Produced Plasma(DPP)법 2가지가 있습니다. 양산 시에 필요한 광원 강도는 350W 이상을 요구합니다. 싱크트론, 자유전자레이저(free electron laser: FEL),.. 2020. 5. 30.

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