정리하는 반도체61 SK 하이닉스, 비대면으로 IT 기기 수요 늘어 반도체 공급도 확대 가능 SK하이닉스가 노트북 등 IT기기용 메모리반도체 공급 확대로 하반기 실적이 늘어날 것으로 전망됐다. 어규진 DB금융투자 연구원은 9일 “최근 글로벌 경제 재개에 따라 하반기 IT기기 수요 회복이 기대되고 있다”며 “SK하이닉스의 분기 실적은 지난 1분기를 바닥으로 향후 2~3년 동안 꾸준히 개선될 것”이라고 밝혔다. SK하이닉스는 2분기 매출 8조3천억 원, 영업이익 1조8천억 원을 거둘 것으로 전망됐다. 2019년 2분기와 비교해 매출은 29%, 영업이익은 184% 늘어나는 것이다. 코로나19로 비대면 사업과 재택근무가 확대되면서 데이터센터 및 서버용 메모리반도체 수요가 확대된 데 수혜를 보는 것으로 분석됐다. 어 연구원은 하반기에는 데이터센터쪽 수요가 다소 줄어드는 대신 노트북과 같은 IT기기 수요는.. 2020. 6. 11. NAND FLASH 비휘발성 메모리 Mosfet + Floating Gate + Tunnel Oxide Write Control Gate에 충분한 전압이 가해지면, 전하가 Tunneling으로 Floating Gate로 이동해 충전 전자가 FG로 포획될 때, Vth는 증가한다. 그 이유는 채널에 반전층을 형성하기 위해 CG에 전압을 가할 때, FG안의 전자만큼 더 인가되어야 한다. 전자가 FG를 빠져나올 때, Vth는 감소된다. Erase Body에 고전압을 인가해 FG에 갇힌 전자가 Tunneling으로 빠져나가며 이동 Read 플로팅 게이트에 전자가 저장되어 있으면, Vth가 Vread보다 높아 전류가 적게 흐르고, 이 상태를 0으로 인식 플로팅 게이트에 전자가 없으면, Vth가 Vread 보다 낮아 전류가 많이 흐르고.. 2020. 6. 9. DRAM 작동원리! 휘발성 메모리 소자 Transistor 1개 + Capacitor 1개 Dynamic Random Access Memory 구조가 단순하고, 직접도가 높다. 비트당 가격이 싸고, 용량이 크다. 컴퓨터의 주 기억장치로 사용된다. SRAM에 비해서 접근 속도가 느리다. Write 게이트 역할을 하는 Word Line에 전압을 인가 1을 저장하려면 Bit Line에 High를 인가하여 캐패시터를 충전 0을 저장하려면 Bit Line에 Low를 인가하여 캐패시터를 방전 Read BL에 High와 Low의 중간 전압으로 두고 WL을 ON시키면, BL의 변화를 검출하여 1과 0을 감지한다. * 커패시터는 시간이 지남에 따라서 방전된다. 커패시터에 전하가 자연방전되지 않도록 하기 위해서 Refresh 과정이 필요하다.. 2020. 6. 8. 이전 1 2 3 4 5 6 ··· 21 다음