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정리하는 반도체61

게이트와 커패시턴스 게이트 단자 내 절연층이 1개일 때는 외부에서 주어진 전압의 손실 없이 게이트 전압이 거의 대부분 기판(Substrate)에 전달됩니다. 그러나 절연층이 2개 이상일 때는 단자에 인가한 전압보다 게이트를 거쳐 기판에 전달되는 전압이 급격히 줄어들게 되는데요. 이는 2개의 절연막이 형성한 커패시턴스(Capacitance) 비율이 만들어낸 결과입니다. 절연막의 커패시턴스 값은 게이트 단자에 절연막을 만들 당시 외부에서 공급한 각종 공정상수들을 측정하여 계산해 내지요(이는 예측값으로, 실제값과는 오차가 발생할 수 있습니다). 이러한 커패시턴스의 값은 채널을 이동하는 전자 개수의 계산치와 합하여 드레인 전류를 도출해내는 중요한 요소가 됩니다. 오늘은 비휘발성 디바이스에 적용하는 게이트 단자 내 형성된 2개의 절.. 2020. 5. 27.
메모리 반도체 전압 인가 방식 - Word line & Bit line 반도체 칩을 동작시키려면 외부에서 여러 종류의 전압을 인가해야 합니다. 여기서 칩을 동작시킨다는 것은, 칩 내 수많은 트랜지스터(Tr)를 ON/OFF 시키거나 혹은 데이터를 셀에 저장하거나 지우도록 Tr 상태를 변화시키는 것입니다. Tr에 변화를 주려면 주로 4개의 전압이 개입해야 하는데, 이 전압들은 각각 Tr에 기여하는 정도가 다릅니다. 그리고 그 기여도에 따라 셀(Cell)이 집단 배치된 블록(Block) 속으로(혹은 기판으로) 수직축과 수평축 도선 통로를 따라 전압을 넣습니다. 이번 장에서는 메모리 소자들의 셀 배치와 그에 따라 각 셀에 입력되는 전압의 종류에 대해 간단히 살펴보겠습니다. 인가전압의 종류 ▲MOS Tr(Flash 디바이스)에 인가하는 전압의 종류(비휘발성 메모리인 경우) @ 출처:.. 2020. 5. 26.
DRAM과 NAND Flash 차이 반도체 메모리 디바이스의 대표주자, 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash). 각각 저장 방법에 따라 응용 분야는 다르지만 데이터를 되도록 많이 저장하고, 빠르게 처리해야 한다는 목표는 동일합니다. 하지만 이 두 가지 목표를 한꺼번에 만족시키는 최적의 디바이스란 없죠. 그럼에도 불구하고 Technology가 고도화될수록 용량과 속도, 두 Index는 개별적으로 꾸준히 개선되고 있습니다. 낸드플래시는 디램에 비해 플로팅 게이트(Floating Gate)의 기여로 집적도를 크게 올릴 수 있지만, 동시에 플로팅 게이트의 영향으로 동작 속도는 떨어집니다. 반면, 디램은 캐패시터가 MOS 트랜지스터(Tr)와 분리되어 있어 직접도는 떨어지지만 스위칭 속도는 매우 빠릅니다. 두 디바이스 모두 장점이 단점을 .. 2020. 5. 25.

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